2nm,竞争激烈

日期:2023-12-28 13:42:46 作者:kunshan 浏览量:18

来自韩国、台湾和美国的领先芯片制造商之间在先进 2 纳米 (nm) 半导体工艺方面的竞争预计明年将加剧。


12月25日行业报告显示,全球代工龙头——台湾台积电(行业第一)、韩国三星电子(第二)以及重新进军代工市场的美国英特尔——都在加速发展先进的2纳米工艺。


目前,最先进的量产技术是3纳米工艺,由三星电子和台积电制造。三星于去年6月开始量产3纳米工艺,而台积电则于今年年初开始量产。


然而,据报道,由于对初始良率的担忧以及半导体市场的低迷,3纳米工艺的市场需求并未达到预期,导致客户对这些高成本、先进工艺的需求减少。


除了台积电独家生产苹果电脑用片上系统 M3 芯片和移动应用处理器 A17 之外,全球主要无晶圆厂公司仍然主要使用 4 纳米工艺而不是 3 纳米代工厂。


与此同时,台积电的主导地位只增不减。根据市场研究公司TrendForce的数据,台积电在全球晶圆代工市场的份额从2021年第三季度的53.1%增长到2023年同期的57.9%。相比之下,三星代工的市场份额从2021年第三季度的17.1%下降到2023年同期的12.4%。同一时期。


尽管如此,英特尔和三星都更专注于先于台积电开发先进工艺,而不是立即扩大订单。他们的策略是抢占下一个市场,而不是与行业领导者进行价格竞争。


尤其是英特尔,正在采取积极举措重新进入代工业务。计划于明年上半年量产20埃(A)2纳米级产品,下半年开发1.8纳米产品18A。在去年 9 月举行的年度开发者活动英特尔创新 2023 上,英特尔还推出了 18A 半导体晶圆的原型。


与此相关的是,荷兰半导体设备公司ASML近日在其官方社交媒体上宣布,将向英特尔交付全球首款High NA极紫外(EUV)设备。该设备由 ASML 独家生产,对于在半导体晶圆上创建电路至关重要,对于实现 7 nm 以上的精细电路至关重要。High-NA EUV 预计将成为 2nm 以下工艺的关键工具,实现比现有 EUV 设备更精细的工艺。去年年初,英特尔率先与 ASML 签署了该设备的合同,领先于三星电子和台积电。


三星代工厂去年开始量产 3 纳米工艺,目标是明年开始量产改进的第二代 3 纳米工艺,并计划在 2025 年上半年量产 2 纳米工艺。台积电已将 2 纳米量产时间表定于 2025 年下半年。


台积电最近与苹果、英伟达等大客户分享了其2纳米原型机的测试结果。同样,三星也向主要客户展示其2nm原型机,据报道正在采取降价策略。


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